TEL-东京电子简介

东京威力科创（日语：東京エレクトロン株式会社／とうきょうエレクトロン；英语：TokyoElectronLimited，TEL），又称东京电子，是日本的半导体设备厂商。公司总部位于东京都港区赤坂。

TEL是东京证券交易所一部上市公司，主要产品为半导体成膜设备、半导体蚀刻设备和用来制造平板显示器液晶的设备。同类产品比重在日本占第一位，在世界上占第二位。东京放送（TBS）曾是其大股东之一。东电旗下有东电AT、东电东北、东电山梨、东电九州和东电软件技术五个主要的子公司。2012年由于受到年世界半导体产业界的不景气的影响，东电整体严重缩小经费开支，准备过冬，原本一度在2013年9月24日，美国半导体设备和服务供应商应用材料（Applied Materials）计划透过换股方式作价90亿美元收购东京威力，合并后的新公司市值约290亿美元，应材将持新公司68%股权、东京威力持其余32%股权。但因合并案未获得美国司法部认可，已于2015年4月终止。

据Bloomberg数据，2018年全球五大半导体设备制造商分别为应用材料（AMAT）、艾司摩尔（ASML）、东京威力科创（TEL）、科林研发（Lam Research）、科磊（KLA），这五大半导体制造商在2018年以其领先的技术、强大的资金支持占据着全球半导体设备制造业超过 70%的市占率。

历史

1963 年 11 月 11 日，由 Tokuo Kubo 和 Toshio Kodaka 创立的 Tokyo Electron Laboratories Incorporated，主要由东京广播系统(TBS) 出资，资本金超过 500 万日元。同年晚些时候，他们在 TBS 主楼开设了办公室，开始制造数千台由 Thermco制造的质量控制和进口扩散炉，并销售日本制造的汽车收音机。​

1965年，该公司接洽市场上快速成长的企业仙童半导体公司，同意作为其销售代理，增资至2000万日元，开始出口IC测试仪、IC插座、IC连接器等类似产品计算机组件。​

该公司在加利福尼亚州旧金山开设了办事处，并于 1968 年成立了新分公司 Pan Electron，成为该地区唯一的进口电子元件库存分销商。[10]

一年后，他们开设了横滨办事处，成立了 Teltron，一家主要的汽车音响制造商和分销商，将总部扩大到填满整个 TBS-2 大楼，并将资本筹集到 1 亿日元。​​

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产品

半导体生产设备 (SPE)编辑

TEL 生产半导体生产设备 (SPE) 用于以下目的​

热加工在加热低压化学气相沉积(LPCVD) 或氧化工艺中将晶体管之间的介电材料薄层沉积到硅晶片表面​光阻涂布/显影光刻胶涂层和显影以在光刻中将微观电路图案投射到晶圆上​等离子蚀刻​湿表面处理晶圆表面清洁以去除异物或灰尘等污染物[14]单晶片化学气相沉积沉积各种材料的薄层，例如钨、硅化钨、钛、氮化钛和氧化钽​晶圆探测用于测试晶圆上每个芯片的功能和性能的晶圆探测器​材料改性/掺杂使用气体团簇离子束(GCIB) 技术进行表面改性和掺杂​校正蚀刻/修整硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、金属等薄膜的校正刻蚀和修整[18]集成计量（由 TEL 和KLA Tencor共同开发）​先进封装​​​​​​​

​Thermal processing

Deposition of thin layers ofdielectricmaterial betweentransistorsonto thesilicon wafersurface in a heated low-pressurechemical vapor deposition(LPCVD) or oxidation processPhotoresist coating/developingPhotoresistcoating and developing to project a microscopic circuitry pattern on the wafer inphotolithographyPlasma etchingWet surface preparationWafer surface cleaning to remove foreign particles or contaminants such as dust[14]Single waferchemical vapor depositionDeposition of thin layers of various materials, such astungsten,tungsten silicide,titanium,titanium nitride, andtantalum oxideWafer probingWafer probersfor testing the functionality and performance of eachdieon the waferMaterial modification/dopingSurface modification anddopingusinggas cluster ion beam(GCIB) technologyCorrective etching/trimmingCorrective etching and trimming ofthin filmssuch assilicon,silicon nitride,silicon dioxide,aluminum nitride, and metals[18]Integratedmetrology(co-developed by TEL andKLA Tencor)Advanced Packaging